突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产
12月9日消息，据媒体报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。
这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。
三星计划在2025年国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，并预计于2025年下半年开始量产。
市场专家预测，如果进程加快，量产可能会在2025年第二季度末开始。
除了400层NAND Flash闪存，三星还计划增加其先进内存产品线的产量，包括在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）NAND Flash闪存生产设施，月产能为30000至40000片晶圆。
以及在中国西安工厂将128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线转换为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产品制程。
目前，三星在全球NAND Flash闪存市场市占率为36.9%，面对SK海力士的竞争，三星的这一突破显得尤为重要。
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